MICROCHIP PIC24 Flash პროგრამირების მომხმარებლის სახელმძღვანელო

ფლეშ პროგრამირება
მოწყობილობების dsPIC33/PIC24 ოჯახებს აქვთ შიდა პროგრამირებადი Flash პროგრამის მეხსიერება მომხმარებლის კოდის შესასრულებლად. ამ მეხსიერების დაპროგრამების სამამდე მეთოდი არსებობს:

ცხრილის ინსტრუქცია ოპერაცია

სერიული პროგრამირება (ICSP)
აპლიკაციის შიგნით პროგრამირება (IAP)

ცხრილის ინსტრუქციები გთავაზობთ მონაცემთა გადაცემის მეთოდს Flash პროგრამის მეხსიერების სივრცესა და dsPIC33/PIC24 მოწყობილობების მონაცემთა მეხსიერების სივრცეს შორის. TBLRDL ინსტრუქცია გამოიყენება პროგრამის მეხსიერების სივრცის ბიტებიდან [15:0] წასაკითხად. TBLWTL ინსტრუქცია გამოიყენება Flash პროგრამის მეხსიერების სივრცის ბიტებზე[15:0] ჩასაწერად. TBLRDL-ს და TBLWTL-ს შეუძლია წვდომა Flash პროგრამის მეხსიერებაში Word რეჟიმში ან Byte რეჟიმში.

Flash პროგრამის მეხსიერების მისამართის გარდა, ცხრილის ინსტრუქცია ასევე განსაზღვრავს W რეგისტრს (ან W Register Pointer მეხსიერების მდებარეობაზე), რომელიც არის Flash პროგრამის მეხსიერების მონაცემების ჩასაწერი წყარო, ან Flash პროგრამის დანიშნულება. წაკითხული მეხსიერება.

ამ განყოფილებაში აღწერილია Flash პროგრამის მეხსიერების დაპროგრამების ტექნიკა. მოწყობილობების dsPIC33/PIC24 ოჯახებს აქვთ შიდა პროგრამირებადი Flash პროგრამის მეხსიერება მომხმარებლის კოდის შესასრულებლად. ამ მეხსიერების დაპროგრამების სამამდე მეთოდი არსებობს:

გაშვების დროში თვითპროგრამირება (RTSP)

სერიული პროგრამირება ™ (ICSP™)
გაძლიერებული სერიული პროგრამირება (EICSP)

RTSP შესრულებულია აპლიკაციის პროგრამული უზრუნველყოფის მიერ შესრულების დროს, ხოლო ICSP და EICSP შესრულებულია გარე პროგრამისტიდან, მოწყობილობასთან სერიული მონაცემთა კავშირის გამოყენებით. ICSP და EICSP იძლევა ბევრად უფრო სწრაფად პროგრამირების დროს, ვიდრე RTSP. RTSP ტექნიკები აღწერილია 4.0 განყოფილებაში „განხორციელების დროში თვითპროგრამირება (RTSP)“. ICSP და EICSP პროტოკოლები განსაზღვრულია პროგრამირების სპეციფიკაციის დოკუმენტებში შესაბამისი მოწყობილობებისთვის, რომელთა ჩამოტვირთვა შესაძლებელია მიკროჩიპიდან. webსაიტი (http://www.microchip.com). C ენაზე პროგრამირებისას ხელმისაწვდომია რამდენიმე ჩაშენებული ფუნქცია, რაც ხელს უწყობს Flash პროგრამირებას. იხილეთ „MPLAB® XC16 C შემდგენელის მომხმარებლის სახელმძღვანელო“ (DS50002071) ჩაშენებული ფუნქციების შესახებ დეტალებისთვის.

პროდუქტის გამოყენების ინსტრუქცია

Flash პროგრამის მეხსიერების დასაპროგრამებლად მიჰყევით ამ ნაბიჯებს:

იხილეთ მოწყობილობის მონაცემთა ფურცელი, რათა შეამოწმოთ არის თუ არა საოჯახო საცნობარო სახელმძღვანელოს სექცია მხარს უჭერს მოწყობილობას, რომელსაც იყენებთ.
ჩამოტვირთეთ მოწყობილობის მონაცემთა ფურცელი და ოჯახის მითითების სახელმძღვანელოს სექციები Microchip Worldwide-დან Webსაიტი: http://www.microchip.com.

აირჩიეთ მეხსიერების დაპროგრამების სამი მეთოდიდან ერთ-ერთი (Table Instruction Operation, In-Circuit Serial Programming (ICSP), In-Application Programming (IAP)).
თუ იყენებთ Table Instruction Operation-ს, გამოიყენეთ TBLRDL ინსტრუქცია პროგრამის მეხსიერების სივრცის ბიტებიდან[15:0] წასაკითხად და TBLWTL ინსტრუქცია ჩაწერისთვის Flash პროგრამის მეხსიერების სივრცის ბიტებზე[15:0].

დარწმუნდით, რომ მიუთითეთ W რეგისტრი (ან W Register Pointer მეხსიერების მდებარეობაზე), როგორც Flash პროგრამის მეხსიერების მონაცემების ჩასაწერი წყარო, ან Flash პროგრამის მეხსიერების წაკითხვის დანიშნულება.

დამატებითი ინფორმაციისთვის და Flash პროგრამის მეხსიერების დაპროგრამების შესახებ დეტალებისთვის იხილეთ dsPIC33/PIC24 Family Reference Manual.

მაგიდის ინსტრუქცია ოპერაცია

ცხრილის ინსტრუქციებში მოცემულია მონაცემთა გადაცემის მეთოდი Flash პროგრამის მეხსიერების სივრცესა და dsPIC33/PIC24 მოწყობილობების მონაცემთა მეხსიერების სივრცეს შორის. ამ განყოფილებაში მოცემულია ცხრილის ინსტრუქციების შეჯამება, რომლებიც გამოიყენება Flash პროგრამის მეხსიერების დაპროგრამების დროს. ცხრილის ოთხი ძირითადი ინსტრუქციაა:

TBLRDL: ცხრილის წაკითხვა დაბალია

TBLRDH: ცხრილი წაკითხული მაღალი
TBLWTL: ცხრილის ჩაწერა დაბალია

TBLWTH: ცხრილი ჩაწერა მაღალი

TBLRDL ინსტრუქცია გამოიყენება პროგრამის მეხსიერების სივრცის ბიტებიდან [15:0] წასაკითხად. TBLWTL ინსტრუქცია გამოიყენება Flash პროგრამის მეხსიერების სივრცის ბიტებზე[15:0] ჩასაწერად. TBLRDL-ს და TBLWTL-ს შეუძლია წვდომა Flash პროგრამის მეხსიერებაში Word რეჟიმში ან Byte რეჟიმში.

TBLRDH და TBLWTH ინსტრუქციები გამოიყენება პროგრამის მეხსიერების სივრცის ბიტებზე [23:16] წასაკითხად ან ჩასაწერად. TBLRDH და TBLWTH შეუძლიათ წვდომა Flash პროგრამის მეხსიერებაში Word ან Byte რეჟიმში. იმის გამო, რომ Flash პროგრამის მეხსიერება მხოლოდ 24 ბიტიანია, TBLRDH და TBLWTH ინსტრუქციებს შეუძლიათ მიმართონ Flash პროგრამის მეხსიერების ზედა ბაიტს, რომელიც არ არსებობს. ამ ბაიტს ეწოდება "ფანტომური ბაიტი". ფანტომური ბაიტის ნებისმიერი წაკითხვა დაბრუნდება 0x00. ფანტომურ ბაიტზე ჩაწერას არანაირი ეფექტი არ აქვს. 24-ბიტიანი Flash პროგრამის მეხსიერება შეიძლება ჩაითვალოს, როგორც ორი გვერდიგვერდ 16-ბიტიანი სივრცე, სადაც თითოეული სივრცე იზიარებს იმავე მისამართების დიაპაზონს. ამიტომ, TBLRDL და TBLWTL ინსტრუქციები წვდება პროგრამის "დაბალ" მეხსიერების სივრცეს (PM[15:0]). TBLRDH და TBLWTH ინსტრუქციები წვდება პროგრამის "მაღალ" მეხსიერების სივრცეს (PM[31:16]). ნებისმიერი წაკითხული ან ჩაწერა PM-ზე[31:24] მიიღებს წვდომას ფანტომურ (განუხორციელებელ) ბაიტზე. როდესაც ცხრილის რომელიმე ინსტრუქცია გამოიყენება ბაიტის რეჟიმში, ცხრილის მისამართის ყველაზე ნაკლებად მნიშვნელოვანი ბიტი (LSb) გამოყენებული იქნება როგორც ბაიტის შერჩევის ბიტი. LSb განსაზღვრავს, რომელ ბაიტს აქვს წვდომა მაღალი ან დაბალი პროგრამის მეხსიერების სივრცეში.

სურათი 2-1 ასახავს, თუ როგორ ხდება Flash პროგრამის მეხსიერების მიმართვა ცხრილის ინსტრუქციების გამოყენებით. 24-ბიტიანი პროგრამის მეხსიერების მისამართი იქმნება TBLPAG რეგისტრის ბიტების[7:0] და ეფექტური მისამართის (EA) გამოყენებით ცხრილის ინსტრუქციაში მითითებული W რეესტრიდან. 24-ბიტიანი პროგრამის მრიცხველი (PC) ილუსტრირებულია სურათზე 2-1 მითითებისთვის. EA-ს ზედა 23 ბიტი გამოიყენება Flash პროგრამის მეხსიერების ადგილმდებარეობის შესარჩევად.

ბაიტის რეჟიმის ცხრილის ინსტრუქციებისთვის გამოიყენება W რეგისტრის EA LSb, რათა აირჩიოთ 16-ბიტიანი Flash პროგრამის მეხსიერების სიტყვის რომელ ბაიტს მიემართება; '1' ირჩევს ბიტებს[15:8] და '0' ირჩევს ბიტებს[7:0]. W რეგისტრის EA LSb იგნორირებულია ცხრილის ინსტრუქციისთვის Word რეჟიმში. Flash პროგრამის მეხსიერების მისამართის გარდა, ცხრილის ინსტრუქცია ასევე განსაზღვრავს W რეგისტრს (ან W Register Pointer მეხსიერების მდებარეობაზე), რომელიც არის Flash პროგრამის მეხსიერების მონაცემების ჩასაწერი წყარო, ან Flash პროგრამის დანიშნულება. წაკითხული მეხსიერება. ცხრილის ჩაწერის ოპერაციისთვის ბაიტის რეჟიმში, წყაროს სამუშაო რეესტრის ბიტები[15:8] იგნორირებულია.

ცხრილის წაკითხვის ინსტრუქციების გამოყენება
ცხრილის წაკითხვა მოითხოვს ორ ნაბიჯს:

მისამართის მაჩვენებლის დაყენება ხდება TBLPAG რეგისტრისა და ერთ-ერთი W რეგისტრის გამოყენებით.
Flash პროგრამის მეხსიერების შიგთავსი მისამართის ადგილმდებარეობაზე შეიძლება წაიკითხოს.

კითხვის სიტყვის რეჟიმი
კოდი ნაჩვენებია მაგample 2-1 და Example 2-2 გვიჩვენებს, თუ როგორ უნდა წაიკითხოთ Flash პროგრამის მეხსიერების სიტყვა ცხრილის ინსტრუქციების გამოყენებით Word რეჟიმში.
წაკითხვის ბაიტის რეჟიმი
კოდი ნაჩვენებია მაგample 2-3 გვიჩვენებს პოსტ-ინკრემენტის ოპერატორს დაბალი ბაიტის წაკითხვისას, რაც იწვევს სამუშაო რეესტრში მისამართის გაზრდას ერთით. ეს აყენებს EA[0]-ს „1“-ზე წვდომისთვის შუა ბაიტზე მესამე ჩაწერის ინსტრუქციაში. ბოლო შემდგომი ზრდა აყენებს W0-ს ლუწი მისამართზე, მიუთითებს Flash პროგრამის მეხსიერების მომდევნო მდებარეობაზე.
მაგიდის საწერი ჩამკეტები
ცხრილის ჩაწერის ინსტრუქციები არ იწერება პირდაპირ არასტაბილურ პროგრამის მეხსიერებაში. ამის ნაცვლად, ცხრილის ჩაწერის ინსტრუქციები იტვირთება ჩაწერის ჩამკეტები, რომლებიც ინახავს ჩაწერის მონაცემებს. NVM მისამართის რეგისტრები უნდა იყოს ჩატვირთული პირველი მისამართით, სადაც ჩაკეტილი მონაცემები უნდა ჩაიწეროს. როდესაც ჩაწერის ყველა ჩამკეტი ჩაიტვირთება, მეხსიერების პროგრამირების ფაქტობრივი ოპერაცია იწყება ინსტრუქციების სპეციალური თანმიმდევრობის შესრულებით. პროგრამირების დროს აპარატურა ჩაწერის ჩამკეტებში არსებულ მონაცემებს ფლეშ მეხსიერებაში გადააქვს. ჩაწერის ჩამკეტები ყოველთვის იწყება 0xFA0000 მისამართიდან და ვრცელდება 0xFA0002-მდე სიტყვის პროგრამირებისთვის, ან 0xFA00FE-მდე მოწყობილობებისთვის, რომლებსაც აქვთ მწკრივის პროგრამირება.

შენიშვნა: ჩაწერის ჩამკეტების რაოდენობა განსხვავდება მოწყობილობის მიხედვით. იხილეთ "Flash პროგრამის მეხსიერება" თავი კონკრეტული მოწყობილობის მონაცემთა ფურცლის ხელმისაწვდომი ჩაწერის ჩამკეტების რაოდენობისთვის.

საკონტროლო რეგისტრები

Flash პროგრამის მეხსიერების წაშლისა და ჩაწერის ოპერაციების დასაპროგრამებლად გამოიყენება რამდენიმე სპეციალური ფუნქციის რეგისტრი (SFR): NVMCON, NVMKEY და NVM მისამართის რეგისტრები, NVMADR და NVMADRU.

NVMCON რეგისტრაცია
NVMCON რეგისტრი არის ძირითადი კონტროლის რეგისტრი Flash და პროგრამის/წაშლის ოპერაციებისთვის. ეს რეესტრი ირჩევს, შესრულდება თუ არა წაშლის ან პროგრამის ოპერაცია და შეუძლია პროგრამის ან წაშლის ციკლის დაწყება. NVMCON რეგისტრი ნაჩვენებია რეესტრში 3-1. NVMCON-ის ქვედა ბაიტი აკონფიგურირებს NVM ოპერაციის ტიპს, რომელიც შესრულდება.

NVMKEY რეგისტრაცია
NVMKEY რეგისტრი (იხ. რეგისტრაცია 3-4) არის მხოლოდ ჩაწერის რეგისტრი, რომელიც გამოიყენება NVMCON-ის შემთხვევით ჩაწერის თავიდან ასაცილებლად, რომელსაც შეუძლია გააფუჭოს Flash მეხსიერება. განბლოკვის შემდეგ, NVMCON-ზე ჩაწერა დაშვებულია ერთი ინსტრუქციის ციკლისთვის, რომელშიც WR ბიტი შეიძლება დაყენდეს წაშლის ან პროგრამის რუტინის გამოსაძახებლად. დროის მოთხოვნების გათვალისწინებით, საჭიროა შეფერხებების გამორთვა.
შეასრულეთ შემდეგი ნაბიჯები წაშლის ან პროგრამირების თანმიმდევრობის დასაწყებად:

შეფერხებების გამორთვა.
ჩაწერეთ 0x55 NVMKEY-ზე.
ჩაწერეთ 0xAA NVMKEY-ზე.
დაიწყეთ პროგრამირების ჩაწერის ციკლი WR ბიტის დაყენებით (NVMCON[15]).
შეასრულეთ ორი NOP ინსტრუქცია.
შეფერხებების აღდგენა.

შეფერხებების გამორთვა
შეფერხებების გამორთვა საჭიროა Flash-ის ყველა ოპერაციისთვის წარმატებული შედეგის უზრუნველსაყოფად. თუ შეფერხება მოხდა NVMKEY განბლოკვის თანმიმდევრობის დროს, მას შეუძლია დაბლოკოს ჩაწერა WR ბიტზე. NVMKEY განბლოკვის თანმიმდევრობა უნდა შესრულდეს შეუფერხებლად, როგორც ეს განხილულია 3.2 ნაწილში „NVMKEY რეგისტრაცია“.

შეფერხებები შეიძლება გამორთოთ ორიდან ერთ-ერთი მეთოდით, გლობალური შეფერხების ჩართვის (GIE ბიტი) გამორთვით ან DISI ინსტრუქციის გამოყენებით. DISI ინსტრუქცია არ არის რეკომენდირებული, რადგან ის თიშავს მხოლოდ მე-6 პრიორიტეტის შეფერხებებს; ამიტომ, გლობალური შეფერხების ჩართვის მეთოდი უნდა იყოს გამოყენებული.

CPU წერს GIE-ს, მიიღოს ორი ინსტრუქციის ციკლი, სანამ გავლენას მოახდენს კოდის ნაკადზე. ამის შემდეგ საჭიროა ორი NOP ინსტრუქცია, ან შეიძლება შეიცვალოს ნებისმიერი სხვა სასარგებლო სამუშაო ინსტრუქციით, როგორიცაა NVMKEY ჩატვირთვა; ეს ეხება როგორც კომპლექტულ, ასევე მკაფიო ოპერაციებს. სიფრთხილეა საჭირო შეფერხებების ხელახლა ჩართვისას, რათა NVM მიზნობრივი რუტინა არ დაუშვას შეფერხებები, როდესაც წინა გამოძახებულმა ფუნქციამ სხვა მიზეზების გამო გამორთო ისინი. ამის გადასაჭრელად ასამბლეაში, stack push და pop შეიძლება გამოყენებულ იქნას GIE ბიტის მდგომარეობის შესანარჩუნებლად. C-ში, ცვლადი RAM-ში შეიძლება გამოყენებულ იქნას INTCON2-ის შესანახად GIE-ის გასუფთავებამდე. შეფერხებების გამორთვისთვის გამოიყენეთ შემდეგი თანმიმდევრობა:

დააწექით INTCON2 დასტაზე.
გაასუფთავეთ GIE ბიტი.

ორი NOP ან წერს NVMKEY.
დაიწყეთ პროგრამირების ციკლი WR ბიტის დაყენებით (NVMCON[15]).
აღადგინეთ GIE მდგომარეობა INTCON2-ის POP-ით.

NVM მისამართების რეგისტრები
ორი NVM მისამართის რეგისტრი, NVMADRU და NVMADR, როდესაც ერთმანეთთან არის დაკავშირებული, ქმნიან შერჩეული მწკრივის 24-ბიტიან EA-ს ან სიტყვას პროგრამირების ოპერაციებისთვის. NVMADRU რეგისტრი გამოიყენება EA-ს ზედა რვა ბიტის შესანახად, ხოლო NVMADR რეგისტრი გამოიყენება EA-ს ქვედა 16 ბიტის შესანახად. ზოგიერთ მოწყობილობას შეუძლია მოიხსენიოს იგივე რეგისტრები, როგორც NVMADRL და NVMADRH. NVM მისამართის რეგისტრები ყოველთვის უნდა მიუთითებდეს ორმაგი ინსტრუქციის სიტყვის საზღვარზე ორმაგი ინსტრუქციის სიტყვის პროგრამირების ოპერაციის შესრულებისას, მწკრივის საზღვარზე მწკრივის პროგრამირების ოპერაციის შესრულებისას ან გვერდის საზღვარზე გვერდის წაშლის ოპერაციის შესრულებისას.

რეგისტრაცია 3-1: NVMCON: Flash Memory Control რეგისტრაცია

შენიშვნა

ამ ბიტის გადატვირთვა (ანუ გასუფთავება) შესაძლებელია მხოლოდ ჩართვის გადატვირთვისას (POR).
უმოქმედო რეჟიმიდან გასვლისას, არის ჩართვის შეფერხება (TVREG), სანამ Flash პროგრამის მეხსიერება ამოქმედდება. დამატებითი ინფორმაციისთვის იხილეთ კონკრეტული მოწყობილობის მონაცემთა ფურცლის „ელექტრული მახასიათებლები“ თავი.
NVMOP[3:0]-ის ყველა სხვა კომბინაცია განუხორციელებელია.

ეს ფუნქცია არ არის ხელმისაწვდომი ყველა მოწყობილობაზე. ხელმისაწვდომი ოპერაციებისთვის იხილეთ „Flash Program Memory“ თავი კონკრეტული მოწყობილობის მონაცემთა ფურცელში.
PWRSAV ინსტრუქციის შესრულების შემდეგ ენერგიის დაზოგვის რეჟიმში შესვლა დამოკიდებულია NVM-ის ყველა მომლოდინე ოპერაციების დასრულებაზე.
ეს ბიტი ხელმისაწვდომია მხოლოდ მოწყობილობებზე, რომლებსაც აქვთ RAM-ის ბუფერული მწკრივის პროგრამირების მხარდაჭერა. ხელმისაწვდომობისთვის მიმართეთ მოწყობილობის სპეციფიკურ მონაცემთა ფურცელს.

შენიშვნა

ამ ბიტის გადატვირთვა (ანუ გასუფთავება) შესაძლებელია მხოლოდ ჩართვის გადატვირთვისას (POR).

უმოქმედო რეჟიმიდან გასვლისას, არის ჩართვის შეფერხება (TVREG), სანამ Flash პროგრამის მეხსიერება ამოქმედდება. დამატებითი ინფორმაციისთვის იხილეთ კონკრეტული მოწყობილობის მონაცემთა ფურცლის „ელექტრული მახასიათებლები“ თავი.
NVMOP[3:0]-ის ყველა სხვა კომბინაცია განუხორციელებელია.
ეს ფუნქცია არ არის ხელმისაწვდომი ყველა მოწყობილობაზე. ხელმისაწვდომი ოპერაციებისთვის იხილეთ „Flash Program Memory“ თავი კონკრეტული მოწყობილობის მონაცემთა ფურცელში.

PWRSAV ინსტრუქციის შესრულების შემდეგ ენერგიის დაზოგვის რეჟიმში შესვლა დამოკიდებულია NVM-ის ყველა მომლოდინე ოპერაციების დასრულებაზე.
ეს ბიტი ხელმისაწვდომია მხოლოდ მოწყობილობებზე, რომლებსაც აქვთ RAM-ის ბუფერული მწკრივის პროგრამირების მხარდაჭერა. ხელმისაწვდომობისთვის მიმართეთ მოწყობილობის სპეციფიკურ მონაცემთა ფურცელს.

რეგისტრაცია 3-2: NVMADRU: არასტაბილური მეხსიერება ზედა მისამართის რეგისტრაცია

რეგისტრაცია 3-3: NVMADR: არასტაბილური მეხსიერების მისამართის რეგისტრაცია

რეგისტრაცია 3-4: NVMKEY: არასტაბილური მეხსიერების გასაღები რეგისტრაცია

გაშვების დროში თვითპროგრამირება (RTSP)

RTSP საშუალებას აძლევს მომხმარებლის აპლიკაციას შეცვალოს Flash პროგრამის მეხსიერების შინაარსი. RTSP შესრულებულია TBLRD (ცხრილის წაკითხვა) და TBLWT (ცხრილის ჩაწერა) ინსტრუქციების, TBLPAG რეგისტრისა და NVM კონტროლის რეგისტრების გამოყენებით. RTSP-ით, მომხმარებლის აპლიკაციას შეუძლია წაშალოს Flash მეხსიერების ერთი გვერდი და დაპროგრამდეს ორი ინსტრუქციის სიტყვა ან 128-მდე ინსტრუქციული სიტყვა გარკვეულ მოწყობილობებზე.

RTSP ოპერაცია
dsPIC33/PIC24 Flash პროგრამის მეხსიერების მასივი ორგანიზებულია წაშლილ გვერდებად, რომლებიც შეიძლება შეიცავდეს 1024-მდე ინსტრუქციას. ორსიტყვიანი პროგრამირების ვარიანტი ხელმისაწვდომია dsPIC33/PIC24 ოჯახების ყველა მოწყობილობაში. გარდა ამისა, ზოგიერთ მოწყობილობას აქვს მწკრივის პროგრამირების შესაძლებლობა, რაც ერთდროულად 128-მდე ინსტრუქციის სიტყვის დაპროგრამების საშუალებას იძლევა. პროგრამირების და წაშლის ოპერაციები ყოველთვის ხდება ორმაგ პროგრამირების სიტყვაზე, მწკრივზე ან გვერდის საზღვრებზე. იხილეთ პროგრამირების მწკრივის ხელმისაწვდომობისა და ზომისთვის და წაშლისთვის გვერდის ზომის შესახებ მოწყობილობის მონაცემთა ფურცლის „Flash პროგრამის მეხსიერება“ თავი. Flash პროგრამის მეხსიერება ახორციელებს დამჭერ ბუფერებს, სახელწოდებით ჩაწერის ჩამკეტები, რომლებიც შეიძლება შეიცავდეს პროგრამირების მონაცემების 128-მდე ინსტრუქციას, დამოკიდებულია მოწყობილობაზე. ფაქტობრივი პროგრამირების ოპერაციის დაწყებამდე ჩაწერის მონაცემები უნდა ჩაიტვირთოს ჩაწერის საკეტებში. RTSP-ის ძირითადი თანმიმდევრობა არის Table Pointer-ის, TBLPAG რეგისტრის დაყენება და შემდეგ TBLWT ინსტრუქციების სერიის შესრულება ჩაწერის ჩამკეტების ჩასატვირთად. პროგრამირება ხორციელდება NVMCON რეესტრში საკონტროლო ბიტების დაყენებით. ჩაწერის ჩამკეტების ჩასატვირთად საჭირო TBLWTL და TBLWTH ინსტრუქციების რაოდენობა უდრის ჩასაწერი პროგრამის სიტყვების რაოდენობას.

შენიშვნა: რეკომენდირებულია, რომ TBLPAG რეგისტრი შეინახოს მოდიფიკაციამდე და აღდგეს გამოყენების შემდეგ.

სიფრთხილე
ზოგიერთ მოწყობილობაზე, კონფიგურაციის ბიტები ინახება პროგრამის Flash მომხმარებლის მეხსიერების ბოლო გვერდზე, სექციაში სახელწოდებით "Flash Configuration Bytes". ამ მოწყობილობებთან ერთად, პროგრამის მეხსიერების ბოლო გვერდზე გვერდის წაშლის ოპერაციის შესრულება შლის Flash კონფიგურაციის ბაიტებს, რაც უზრუნველყოფს კოდის დაცვას. ამიტომ, მომხმარებლებმა არ უნდა განახორციელონ გვერდის წაშლის ოპერაციები პროგრამის მეხსიერების ბოლო გვერდზე. ეს არ არის შემაშფოთებელი, როდესაც კონფიგურაციის ბიტები ინახება კონფიგურაციის მეხსიერების სივრცეში, სექციაში სახელწოდებით "მოწყობილობის კონფიგურაციის რეგისტრები". იხილეთ პროგრამის მეხსიერების რუკა კონკრეტული მოწყობილობის მონაცემთა ფურცლის „მეხსიერების ორგანიზაცია“ თავში, რათა დაადგინოთ სად მდებარეობს კონფიგურაციის ბიტები.

ფლეშ პროგრამირების ოპერაციები
პროგრამის ან წაშლის ოპერაცია აუცილებელია RTSP რეჟიმში შიდა Flash პროგრამის მეხსიერების დაპროგრამებისთვის ან წაშლისთვის. პროგრამის ან წაშლის ოპერაცია ავტომატურად ითვლის მოწყობილობას (დროის ინფორმაციისთვის იხილეთ მოწყობილობის მონაცემთა ფურცელი). WR ბიტის (NVMCON[15]) დაყენება იწყებს ოპერაციას. WR ბიტი ავტომატურად იშლება ოპერაციის დასრულებისას. CPU ჩერდება პროგრამირების ოპერაციის დასრულებამდე. CPU არ შეასრულებს რაიმე ინსტრუქციას და არ პასუხობს შეფერხებებს ამ დროის განმავლობაში. თუ რაიმე შეფერხება მოხდება პროგრამირების ციკლის განმავლობაში, ისინი დარჩება მოლოდინის რეჟიმში ციკლის დასრულებამდე. ზოგიერთ dsPIC33/PIC24 მოწყობილობას შეუძლია უზრუნველყოს დამხმარე Flash პროგრამის მეხსიერება (დეტალებისთვის იხილეთ „მეხსიერების ორგანიზაცია“ თავი კონკრეტული მოწყობილობის მონაცემთა ფურცლის შესახებ), რომელიც საშუალებას აძლევს ინსტრუქციების შესრულებას CPU-ის გაჩერების გარეშე, სანამ მომხმარებლის Flash პროგრამის მეხსიერების წაშლა და/ან დაპროგრამება ხდება. პირიქით, დამხმარე Flash პროგრამის მეხსიერების დაპროგრამება შესაძლებელია CPU Stalls-ის გარეშე, სანამ კოდი შესრულებულია მომხმარებლის Flash პროგრამის მეხსიერებიდან. NVM შეფერხება შეიძლება გამოყენებულ იქნას იმის საჩვენებლად, რომ პროგრამირების ოპერაცია დასრულებულია.

შენიშვნა

თუ POR ან BOR მოვლენა მოხდა RTSP წაშლის ან პროგრამირების ოპერაციის მიმდინარეობისას, RTSP ოპერაცია დაუყოვნებლივ შეწყვეტილია. მომხმარებელმა ხელახლა უნდა შეასრულოს RTSP ოპერაცია მას შემდეგ, რაც მოწყობილობა გამოვა გადატვირთვისგან.

თუ EXTR, SWR, WDTO, TRAPR, CM ან IOPUWR გადატვირთვის მოვლენა მოხდა RTSP წაშლის ან პროგრამირების ოპერაციის მიმდინარეობისას, მოწყობილობა გადაიტვირთება მხოლოდ RTSP ოპერაციის დასრულების შემდეგ.

RTSP პროგრამირების ალგორითმი
ეს ნაწილი აღწერს RTSP პროგრამირებას, რომელიც შედგება სამი ძირითადი პროცესისგან.

შესაცვლელი მონაცემთა გვერდის RAM გამოსახულების შექმნა
შეასრულეთ ეს ორი ნაბიჯი, რათა შეცვალოთ მონაცემთა გვერდის RAM სურათი:

წაიკითხეთ Flash პროგრამის მეხსიერების გვერდი და შეინახეთ იგი მონაცემთა RAM-ში, როგორც მონაცემთა "სურათი". ოპერატიული მეხსიერების გამოსახულება უნდა წაიკითხოთ გვერდის მისამართის საზღვრიდან დაწყებული.
საჭიროების შემთხვევაში შეცვალეთ RAM-ის მონაცემების სურათი.

ფლეშ პროგრამის მეხსიერების წაშლა
ზემოთ 1 და 2 ნაბიჯების დასრულების შემდეგ, შეასრულეთ შემდეგი ოთხი ნაბიჯი Flash პროგრამის მეხსიერების გვერდის წასაშლელად:

დააყენეთ NVMOP[3:0] ბიტები (NVMCON[3:0]), რომ წაშალოთ Flash პროგრამის მეხსიერების გვერდი, წაკითხული ნაბიჯი 1-დან.
ჩაწერეთ წაშლილი გვერდის საწყისი მისამართი NVMADRU და NMVADR რეგისტრებში.
შეფერხებით გამორთულია:
- a) ჩაწერეთ გასაღების თანმიმდევრობა NVMKEY რეესტრში, რათა ჩართოთ WR ბიტის დაყენება (NVMCON[15]).
- b) დააყენეთ WR ბიტი; ეს დაიწყებს წაშლის ციკლს.
- c) შეასრულეთ ორი NOP ინსტრუქცია.

WR ბიტი იშლება, როდესაც წაშლის ციკლი დასრულდება.

ფლეშ მეხსიერების გვერდის დაპროგრამება
პროცესის შემდეგი ნაწილი არის Flash მეხსიერების გვერდის დაპროგრამება. Flash მეხსიერების გვერდი დაპროგრამებულია 1-ელ საფეხურზე შექმნილი სურათის მონაცემების გამოყენებით. მონაცემები გადადის ჩაწერის ბლოკებში ან ორმაგი ინსტრუქციის სიტყვების ან სტრიქონების მატებით. ყველა მოწყობილობას აქვს ორმაგი ინსტრუქციის სიტყვების პროგრამირების შესაძლებლობა. (იხილეთ „Flash პროგრამის მეხსიერება“ თავი კონკრეტული მოწყობილობის მონაცემთა ფურცელში, რათა დაადგინოთ არის თუ არა და რა ტიპის მწკრივის პროგრამირება ხელმისაწვდომი.) ჩაწერის ჩამკეტების ჩატვირთვის შემდეგ იწყება პროგრამირების ოპერაცია, რომელიც გადასცემს მონაცემებს ჩაწერეთ ჩამკეტები ფლეშ მეხსიერებაში. ეს მეორდება მანამ, სანამ მთელი გვერდი დაპროგრამდება. გაიმეორეთ შემდეგი სამი ნაბიჯი, დაწყებული Flash გვერდის პირველი ინსტრუქციის სიტყვიდან და გაზარდეთ ნაბიჯებით ან ორმაგი პროგრამის სიტყვებით, ან ინსტრუქციის რიგებით, სანამ მთელი გვერდი დაპროგრამდება:

ჩატვირთეთ ჩაწერის ჩამკეტები:
- a) დააყენეთ TBLPAG რეგისტრი, რათა მიუთითებდეს ჩაწერის ჩამკეტების მდებარეობაზე.
- b) ჩატვირთეთ საკეტების სასურველი რაოდენობა TBLWTL და TBLWTH ინსტრუქციების გამოყენებით:
- ორსიტყვიანი პროგრამირებისთვის საჭიროა TBLWTL და TBLWTH ინსტრუქციების ორი წყვილი
- მწკრივის პროგრამირებისთვის საჭიროა წყვილი TBLWTL და TBLWTH ინსტრუქციები თითოეული ინსტრუქციის სიტყვის მწკრივის ელემენტისთვის
პროგრამირების ოპერაციის დაწყება:
- ა) დააყენეთ NVMOP[3:0] ბიტები (NVMCON[3:0]), რათა დაპროგრამდეს ორმაგი ინსტრუქციის სიტყვები ან ინსტრუქციის სტრიქონი, საჭიროებისამებრ.
  ბ) ჩაწერეთ ან ორმაგი ინსტრუქციის სიტყვის ან ინსტრუქციის რიგის პირველი მისამართი, რომელიც უნდა დაპროგრამდეს NVMADRU და NVMADR რეგისტრებში.
  გ) წყვეტებით გამორთულია:
  • ჩაწერეთ გასაღების თანმიმდევრობა NVMKEY რეგისტრში, რათა ჩართოთ WR ბიტის დაყენება (NVMCON[15])
  • WR ბიტის დაყენება; ეს დაიწყებს წაშლის ციკლს
  • შეასრულეთ ორი NOP ინსტრუქცია

WR ბიტი იშლება პროგრამირების ციკლის დასრულებისას.

გაიმეორეთ მთელი პროცესი, როგორც საჭიროა, რომ დააპროგრამოთ სასურველი რაოდენობის Flash პროგრამის მეხსიერება.

შენიშვნა

მომხმარებელმა უნდა ახსოვდეს, რომ Flash პროგრამის მეხსიერების მინიმალური რაოდენობა, რომელიც შეიძლება წაიშალოს RTSP-ის გამოყენებით, არის მხოლოდ წაშლილი გვერდი. აქედან გამომდინარე, მნიშვნელოვანია, რომ ამ ადგილების სურათი შეინახოს ზოგადი დანიშნულების RAM-ში, სანამ წაშლის ციკლი დაიწყება.
Flash პროგრამის მეხსიერებაში მწკრივი ან სიტყვა არ უნდა იყოს დაპროგრამებული ორჯერ მეტი წაშლამდე.
Flash-ის ბოლო გვერდზე შენახული კონფიგურაციის ბაიტების მქონე მოწყობილობებზე, პროგრამის მეხსიერების ბოლო გვერდზე გვერდის წაშლის ოპერაციის შესრულება ასუფთავებს კონფიგურაციის ბაიტებს, რაც უზრუნველყოფს კოდის დაცვას. ამ მოწყობილობებზე Flash მეხსიერების ბოლო გვერდი არ უნდა წაიშალოს.

ფლეშის ერთი გვერდის წაშლა
კოდის თანმიმდევრობა ნაჩვენებია მაგample 4-1 შეიძლება გამოყენებულ იქნას Flash პროგრამის მეხსიერების გვერდის წასაშლელად. NVMCON რეგისტრი კონფიგურირებულია პროგრამის მეხსიერების ერთი გვერდის წასაშლელად. NVMADR და NMVADRU რეგისტრები იტვირთება წასაშლელი გვერდის საწყისი მისამართით. პროგრამის მეხსიერება უნდა წაიშალოს "ლუწი" გვერდის მისამართების საზღვარზე. Flash გვერდის ზომის დასადგენად იხილეთ მოწყობილობის მონაცემთა ფურცლის „Flash Program Memory“ თავი.
წაშლის ოპერაცია იწყება სპეციალური განბლოკვის ან გასაღების თანმიმდევრობის ჩაწერით NVMKEY რეგისტრში WR ბიტის დაყენებამდე (NVMCON[15]). განბლოკვის თანმიმდევრობა უნდა შესრულდეს ზუსტი თანმიმდევრობით, როგორც ნაჩვენებია მაგample 4-1, შეუფერხებლად; ამიტომ, შეფერხებები უნდა იყოს გამორთული.
ორი NOP ინსტრუქცია უნდა იყოს ჩასმული კოდში წაშლის ციკლის შემდეგ. გარკვეულ მოწყობილობებზე კონფიგურაციის ბიტები ინახება პროგრამის Flash-ის ბოლო გვერდზე. ამ მოწყობილობებით, პროგრამის მეხსიერების ბოლო გვერდზე გვერდის წაშლის ოპერაციის შესრულება ასუფთავებს Flash Configuration-ის ბაიტებს, რაც შედეგად უზრუნველყოფს კოდის დაცვას. მომხმარებლებმა არ უნდა შეასრულონ გვერდის წაშლის ოპერაციები პროგრამის მეხსიერების ბოლო გვერდზე.

ჩამწერი ჩამკეტების ჩატვირთვა
ჩაწერის ჩამკეტები გამოიყენება როგორც შენახვის მექანიზმი მომხმარებლის აპლიკაციის Table Writes-სა და რეალურ პროგრამირების თანმიმდევრობას შორის. პროგრამირების ოპერაციის დროს მოწყობილობა ჩაწერის ჩამკეტებიდან მონაცემებს გადასცემს Flash მეხსიერებაში. მოწყობილობებისთვის, რომლებიც მხარს უჭერენ მწკრივის პროგრამირებას, მაგamp4-3 გვიჩვენებს ინსტრუქციების თანმიმდევრობას, რომელიც შეიძლება გამოყენებულ იქნას 128 ჩაწერის ჩამკეტის ჩასატვირთად (128 ინსტრუქციის სიტყვა). 128 TBLWTL და 128 TBLWTH ინსტრუქციები საჭიროა ჩაწერის ჩამკეტების ჩასატვირთად Flash პროგრამის მეხსიერების რიგის დასაპროგრამებლად. იხილეთ "Flash პროგრამის მეხსიერება" თავი კონკრეტული მოწყობილობის მონაცემთა ფურცლის, რათა დაადგინოთ თქვენს მოწყობილობაზე ხელმისაწვდომი პროგრამირების ჩამკეტების რაოდენობა. მოწყობილობებისთვის, რომლებსაც არ აქვთ მწკრივის პროგრამირების მხარდაჭერა, მაგample 4-4 გვიჩვენებს ინსტრუქციების თანმიმდევრობას, რომელიც შეიძლება გამოყენებულ იქნას ჩაწერის ორი ჩამკეტის ჩასატვირთად (ორი ინსტრუქციის სიტყვა). ჩაწერის ჩამკეტების ჩასატვირთად საჭიროა ორი TBLWTL და ორი TBLWTH ინსტრუქცია.

შენიშვნა

Load_Write_Latch_Row კოდი ნაჩვენებია მაგample 4-3 და Load_Write_Latch_Word-ის კოდი ნაჩვენებია მაგampლე 4-4. კოდი ამ ორივეში, მაგamples მოხსენიებულია შემდგომ ყოფილშიamples.
იხილეთ მოწყობილობის მონაცემების სპეციფიკური ფურცელი საკეტების რაოდენობისთვის.

ერთი რიგის პროგრამირება EXAMPLE
NVMCON რეგისტრი კონფიგურირებულია Flash პროგრამის მეხსიერების ერთი რიგის დასაპროგრამებლად. პროგრამის ოპერაცია იწყება სპეციალური განბლოკვის ან კლავიშების მიმდევრობის ჩაწერით NVMKEY რეგისტრში WR ბიტის დაყენებამდე (NVMCON[15]). განბლოკვის თანმიმდევრობა უნდა შესრულდეს შეფერხების გარეშე და ზუსტად იმ თანმიმდევრობით, როგორც ნაჩვენებია Ex-შიampლე 4-5. ამიტომ, თანმიმდევრობის დაწერამდე უნდა გამორთოთ შეფერხებები.

შენიშვნა: ყველა მოწყობილობას არ აქვს მწკრივის პროგრამირების შესაძლებლობა. იხილეთ კონკრეტული მოწყობილობის მონაცემთა ფურცლის „Flash Program Memory“ თავი, რათა დაადგინოთ არის თუ არა ეს პარამეტრი.

ორი NOP ინსტრუქცია უნდა იყოს ჩასმული კოდში პროგრამირების ციკლის შემდეგ.

მწკრივების დაპროგრამება RAM-ის ბუფერის გამოყენებით
შერჩეული dsPIC33 მოწყობილობები იძლევა საშუალებას, რომ მწკრივის პროგრამირება შესრულდეს უშუალოდ მონაცემთა RAM-ის ბუფერული სივრციდან, ვიდრე გადაიტანოს დამჭერი ჩამკეტები მონაცემთა გადასაცემად TBLWT ინსტრუქციებით. RAM-ის ბუფერის მდებარეობა განისაზღვრება NVMSRCADR რეგისტრებით, რომლებიც იტვირთება მონაცემთა RAM მისამართით, რომელიც შეიცავს ჩასაწერი პროგრამის მონაცემების პირველ სიტყვას.

პროგრამის მოქმედების შესრულებამდე, RAM-ში ბუფერული სივრცე უნდა იყოს დატვირთული დაპროგრამებული მონაცემების რიგით. ოპერატიული მეხსიერების ჩატვირთვა შესაძლებელია როგორც შეკუმშული (შეფუთული) ან არაკომპრესირებულ ფორმატში. შეკუმშული საცავი იყენებს ერთ მონაცემთა სიტყვას ორი მიმდებარე პროგრამის მონაცემთა სიტყვის ყველაზე მნიშვნელოვანი ბაიტების (MSB) შესანახად. არაკომპრესირებული ფორმატი იყენებს ორ მონაცემთა სიტყვას თითოეული პროგრამის მონაცემთა სიტყვისთვის, ყოველი მეორე სიტყვის ზედა ბაიტი არის 00h. შეკუმშული ფორმატი იყენებს მონაცემთა RAM-ის სივრცის დაახლოებით 3/4-ს არაკომპრესირებულ ფორმატთან შედარებით. მეორეს მხრივ, შეუკუმშული ფორმატი მიბაძავს 24-ბიტიანი პროგრამის მონაცემთა სიტყვის სტრუქტურას, რომელიც სრულდება ზედა ფანტომური ბაიტით. მონაცემთა ფორმატი შეირჩევა RPDF ბიტით (NVMCON[9]). ეს ორი ფორმატი ნაჩვენებია სურათზე 4-1.

RAM-ის ბუფერის ჩატვირთვის შემდეგ, Flash Address Pointers, NVMADR და NVMADRU, იტვირთება დასაწერი Flash მწკრივის 24-ბიტიანი საწყისი მისამართით. როგორც ჩაწერის ჩამკეტების პროგრამირებისას, პროცესი იწყება NVM განბლოკვის თანმიმდევრობის ჩაწერით, რასაც მოჰყვება WR ბიტის დაყენება. დაწყების შემდეგ, მოწყობილობა ავტომატურად იტვირთება მარჯვენა საკეტები და ზრდის NVM მისამართის რეგისტრირებას, სანამ ყველა ბაიტი არ დაპროგრამდება. მაგamp4-7 გვიჩვენებს ყოფილიampპროცესის. თუ NVMSRCADR დაყენებულია ისეთ მნიშვნელობაზე, რომ მოხდეს მონაცემთა შეცდომის პირობა, URERR ბიტი (NVMCON[8]) დაყენდება მდგომარეობის მითითებისთვის.
მოწყობილობები, რომლებიც ახორციელებენ RAM-ის ბუფერული მწკრივის პროგრამირებას, ასევე ახორციელებენ ერთი ან ორი ჩაწერის ჩამკეტს. ისინი იტვირთება TBLWT ინსტრუქციების გამოყენებით და გამოიყენება სიტყვების პროგრამირების ოპერაციების შესასრულებლად.

სიტყვის დაპროგრამება
NVMCON რეგისტრი კონფიგურირებულია Flash პროგრამის მეხსიერების ორი ინსტრუქციის სიტყვის დასაპროგრამებლად. პროგრამის ოპერაცია იწყება სპეციალური განბლოკვის ან კლავიშების მიმდევრობის ჩაწერით NVMKEY რეგისტრში WR ბიტის დაყენებამდე (NVMCON[15]). განბლოკვის თანმიმდევრობა უნდა შესრულდეს ზუსტი თანმიმდევრობით, როგორც ნაჩვენებია მაგampლე 4-8, შეუფერხებლად. ამიტომ, თანმიმდევრობის დაწერამდე უნდა გამორთოთ შეფერხებები.
ორი NOP ინსტრუქცია უნდა იყოს ჩასმული კოდში პროგრამირების ციკლის შემდეგ.

მოწყობილობის კონფიგურაციის რეგისტრებში ჩაწერა
გარკვეულ მოწყობილობებზე, კონფიგურაციის ბიტები ინახება კონფიგურაციის მეხსიერების სივრცეში, სექციაში სახელწოდებით "მოწყობილობის კონფიგურაციის რეგისტრები". სხვა მოწყობილობებზე კონფიგურაციის ბიტები ინახება პროგრამის Flash მომხმარებლის მეხსიერების ბოლო გვერდზე განყოფილებაში სახელწოდებით "Flash Configuration Bytes". ამ მოწყობილობებთან ერთად, პროგრამის მეხსიერების ბოლო გვერდზე გვერდის წაშლის ოპერაციის შესრულება შლის Flash კონფიგურაციის ბაიტებს, რაც უზრუნველყოფს კოდის დაცვას. ამიტომ, მომხმარებლებმა არ უნდა განახორციელონ გვერდის წაშლის ოპერაციები პროგრამის მეხსიერების ბოლო გვერდზე. იხილეთ პროგრამის მეხსიერების რუკა კონკრეტული მოწყობილობის მონაცემთა ფურცლის „მეხსიერების ორგანიზაცია“ თავში, რათა დაადგინოთ სად მდებარეობს კონფიგურაციის ბიტები.

როდესაც კონფიგურაციის ბიტები ინახება კონფიგურაციის მეხსიერების სივრცეში, RTSP შეიძლება გამოყენებულ იქნას მოწყობილობის კონფიგურაციის რეგისტრებში ჩასაწერად და RTSP საშუალებას აძლევს თითოეული კონფიგურაციის რეგისტრი ინდივიდუალურად გადაიწეროს წაშლის ციკლის პირველი შესრულების გარეშე. სიფრთხილეა საჭირო კონფიგურაციის რეგისტრების დაწერისას, რადგან ისინი აკონტროლებენ მოწყობილობის მუშაობის კრიტიკულ პარამეტრებს, როგორიცაა სისტემის საათის წყარო, PLL და WDT ჩართვა.

მოწყობილობის კონფიგურაციის რეგისტრის დაპროგრამების პროცედურა მსგავსია Flash პროგრამის მეხსიერების პროგრამირების პროცედურისა, გარდა იმისა, რომ საჭიროა მხოლოდ TBLWTL ინსტრუქციები. ეს იმიტომ ხდება, რომ თითოეული მოწყობილობის კონფიგურაციის რეესტრში ზედა რვა ბიტი გამოუყენებელია. გარდა ამისა, Table Write მისამართის 23-ე ბიტი უნდა იყოს დაყენებული კონფიგურაციის რეგისტრებზე წვდომისთვის. მოწყობილობის კონფიგურაციის რეგისტრების სრული აღწერისთვის იხილეთ „მოწყობილობის კონფიგურაცია“ (DS70000618) „dsPIC33/PIC24 საოჯახო საცნობარო სახელმძღვანელოში“ და „სპეციალური ფუნქციები“ თავში კონკრეტული მოწყობილობის მონაცემთა ფურცელში.

შენიშვნა

მოწყობილობაზე წერა კონფიგურაციის რეგისტრებში არ არის ხელმისაწვდომი ყველა მოწყობილობაში. იხილეთ „სპეციალური მახასიათებლები“ თავი კონკრეტული მოწყობილობის მონაცემთა ფურცელში, რათა დაადგინოთ რეჟიმები, რომლებიც ხელმისაწვდომია მოწყობილობის სპეციფიკური NVMOP[3:0] ბიტების განმარტების მიხედვით.
მოწყობილობის კონფიგურაციის რეგისტრებზე RTSP-ის შესრულებისას მოწყობილობა უნდა მუშაობდეს შიდა FRC ოსცილატორის გამოყენებით (PLL-ის გარეშე). თუ მოწყობილობა მუშაობს საათის სხვა წყაროდან, საათის გადართვა შიდა FRC ოსცილატორზე (NOSC[2:0] = 000) უნდა შესრულდეს RTSP ოპერაციის შესრულებამდე მოწყობილობის კონფიგურაციის რეგისტრებში.

თუ პირველადი ოსცილატორის რეჟიმის არჩევის ბიტები (POSCMD[1:0]) ოსცილატორის კონფიგურაციის რეესტრში (FOSC) ხელახლა დაპროგრამდება ახალ მნიშვნელობაზე, მომხმარებელმა უნდა უზრუნველყოს, რომ საათის გადართვის რეჟიმის ბიტები (FCKSM[1:0]) FOSC რეესტრს აქვს საწყისი დაპროგრამებული მნიშვნელობა '0' ამ RTSP ოპერაციის შესრულებამდე.

კონფიგურაციის რეესტრის ჩაწერის ალგორითმი
ზოგადი პროცედურა ასეთია:

ჩაწერეთ ახალი კონფიგურაციის მნიშვნელობა Table Write latch-ზე TBLWTL ინსტრუქციის გამოყენებით.

NVMCON-ის კონფიგურაცია კონფიგურაციის რეგისტრის ჩაწერისთვის (NVMCON = 0x4000).
ჩაწერეთ კონფიგურაციის რეგისტრის მისამართი, რომელიც უნდა დაპროგრამდეს NVMADRU და NVMADR რეგისტრებში.
გამორთეთ შეფერხებები, თუ ჩართულია.

ჩაწერეთ გასაღების თანმიმდევრობა NVMKEY რეესტრში.
დაიწყეთ ჩაწერის თანმიმდევრობა WR ბიტის დაყენებით (NVMCON[15]).
საჭიროების შემთხვევაში ხელახლა ჩართეთ შეფერხებები.

Examp4-10 გვიჩვენებს კოდის თანმიმდევრობას, რომელიც შეიძლება გამოყენებულ იქნას მოწყობილობის კონფიგურაციის რეესტრის შესაცვლელად.

დარეგისტრირდით რუკაზე

Flash პროგრამირებასთან დაკავშირებული რეგისტრების შეჯამება მოცემულია ცხრილში 5-1.

დაკავშირებული განაცხადის შენიშვნები

ამ განყოფილებაში ჩამოთვლილია განაცხადის შენიშვნები, რომლებიც დაკავშირებულია სახელმძღვანელოს ამ განყოფილებასთან. განაცხადის ეს შენიშვნები შეიძლება არ იყოს დაწერილი სპეციალურად dsPIC33/PIC24 პროდუქტის ოჯახებისთვის, მაგრამ ცნებები აქტუალურია და შეიძლება გამოყენებულ იქნას მოდიფიკაციებით და შესაძლო შეზღუდვებით. Flash პროგრამირებასთან დაკავშირებული განაცხადის მიმდინარე შენიშვნები არის:

შენიშვნა: გთხოვთ ეწვიოთ მიკროჩიპს webსაიტი (www.microchip.com) დამატებითი განაცხადის შენიშვნებისთვის და კოდისთვის მაგamples მოწყობილობების dsPIC33/PIC24 ოჯახებისთვის.

გადასინჯვის ისტორია

რევიზია A (2009 წლის აგვისტო)
ეს არის ამ დოკუმენტის საწყისი ვერსია.

რევიზია B (2011 წლის თებერვალი)
ეს გადახედვა მოიცავს შემდეგ განახლებებს:

Examples:
- ამოღებულია ეგample 5-3 და Exampლე 5-4
- განახლებულია ექსample 4-1, მაგample 4-5 და Exampლე 4-10
- ნებისმიერი მითითება #WR-ზე განახლდა #15-მდე მაგample 4-1, მაგample 4-5 და Exampლე 4-8
- განახლებულია შემდეგში Exampლე 4-3:
განახლებულია სათაური „Word Programming“ „ჩაწერის ჩამკეტების ჩატვირთვა რიგის პროგრამირებისთვის“

ნებისმიერი მითითება #ram_image-ზე განახლდა #0xFA-ზე
- დამატებულია მაგampლე 4-4
- განახლებულია სათაური ექსampლე 4-8

შენიშვნები:
- დამატებულია ორი შენიშვნა 4.2 ნაწილში „Flash პროგრამირების ოპერაციები“
- განახლებულია შენიშვნა განყოფილებაში 4.5.2 „ჩაწერის ჩამკეტების ჩატვირთვა“
- დამატებულია სამი შენიშვნა განყოფილებაში 4.6 „მოწყობილობის კონფიგურაციის რეგისტრებში ჩაწერა“
- დამატებულია შენიშვნა 1 ცხრილში 5-1
რეგისტრაცია:
- განახლებულია ბიტის მნიშვნელობები NVMOP-ისთვის[3:0]: NVM ოპერაცია აირჩიეთ ბიტები Flash მეხსიერების კონტროლის (NVMCON) რეგისტრში (იხ. რეგისტრაცია 3-1)
სექციები:
- წაშლილია სექციები 5.2.1.4 „Write Word Mode“ და 5.2.1.5 „Write Byte Mode“
- განახლებულია განყოფილება 3.0 „კონტროლის რეგისტრები“
- განახლებულია შემდეგი განყოფილებაში 4.5.5 „Word Programming“:
განყოფილების სათაური „Flash Memory ერთი სიტყვის პროგრამირება“ შეიცვალა „Word Programming“-ით.
განახლებულია პირველი პუნქტი
მეორე აბზაცში ტერმინები „ერთი სიტყვა“ შეიცვალა „სიტყვათა წყვილით“.
- დაემატა ახალი ნაბიჯი 1 განყოფილებას 4.6.1 „კონფიგურაციის რეგისტრაციის ჩაწერის ალგორითმი“
მაგიდები:
- განახლებულია ცხრილი 5-1
პროგრამის მეხსიერების რამდენიმე მითითება განახლდა Flash პროგრამის მეხსიერებაში
სხვა მცირე განახლებები, როგორიცაა ენისა და ფორმატირების განახლებები, ჩართული იყო მთელ დოკუმენტში

რევიზია C (2011 წლის ივნისი)
ეს გადახედვა მოიცავს შემდეგ განახლებებს:

Examples:
- განახლებულია ექსampლე 4-1
- განახლებულია ექსampლე 4-8
შენიშვნები:
- დამატებულია შენიშვნა 4.1 ნაწილში „RTSP ოპერაცია“
- დამატებულია შენიშვნა 3 განყოფილებაში 4.2 „Flash პროგრამირების ოპერაციები“
- დამატებულია შენიშვნა 3 განყოფილებაში 4.2.1 „RTSP პროგრამირების ალგორითმი“
- დამატებულია შენიშვნა 4.5.1 განყოფილებაში „Flash-ის ერთი გვერდის წაშლა“
- დამატებულია შენიშვნა 2 განყოფილებაში 4.5.2 „ჩაწერის ჩამკეტების ჩატვირთვა“
რეგისტრაცია:
- განახლებულია ბიტის აღწერა 15-0 ბიტებისთვის არასტაბილური მეხსიერების მისამართების რეესტრში (იხ. რეგისტრაცია 3-3)
სექციები:
- განახლებულია განყოფილება 4.1 „RTSP ოპერაცია“
- განახლებულია განყოფილება 4.5.5 „Word Programming“
სხვა მცირე განახლებები, როგორიცაა ენისა და ფორმატირების განახლებები, ჩართული იყო მთელ დოკუმენტში

რევიზია D (დეკემბერი 2011)
ეს გადახედვა მოიცავს შემდეგ განახლებებს:

განახლებულია განყოფილება 2.1.3 „მაგიდის ჩაწერის ჩამკეტები“
განახლებულია განყოფილება 3.2 „NVMKEY რეგისტრაცია“
განახლებულია შენიშვნები NVMCON-ში: Flash Memory Control Register (იხ. რეგისტრაცია 3-1)
ვრცელი განახლებები განხორციელდა მთელი განყოფილების 4.0-ში „განხორციელების დროში თვითპროგრამირება (RTSP)“
სხვა მცირე განახლებები, როგორიცაა ენისა და ფორმატირების განახლებები, ჩართული იყო მთელ დოკუმენტში

რევიზია E (2018 წლის ოქტომბერი)
ეს გადახედვა მოიცავს შემდეგ განახლებებს:

დამატებულია მაგample 2-2, მაგample 4-2, მაგample 4-6 და Exampლე 4-9
დამატებულია განყოფილება 4.5.4 „მწკრივის პროგრამირება RAM-ის ბუფერის გამოყენებით“
განახლებულია განყოფილება 1.0 „შესავალი“, სექცია 3.3 „NVM მისამართების რეგისტრები“, განყოფილება 4.0 „განხორციელების დროში თვითპროგრამირება (RTSP)“ და განყოფილება 4.5.3 „ერთი რიგის პროგრამირება ყოფილიampლე "
განახლებულია რეგისტრაცია 3-1
განახლებულია ექსampლე 4-7
განახლებულია ცხრილი 5-1

რევიზია F (ნოემბერი 2021)
დამატებულია განყოფილება 3.2.1 „შეფერხებების გამორთვა“.
განახლებულია ექსample 3-1, მაგample 4-1, მაგample 4-2, მაგample 4-5, მაგample 4-6, მაგample 4-7, მაგample 4-8, მაგample 4-9 და Exampლე 4-10.
განახლებულია განყოფილება 3.2 „NVMKEY რეგისტრაცია“, განყოფილება 4.5.1 „ფლეშების ერთი გვერდის წაშლა“, განყოფილება 4.5.3 „ერთი რიგის პროგრამირება ყოფილიample“ და პუნქტი 4.6.1 „კონფიგურაციის რეესტრის ჩაწერის ალგორითმი“.

გაითვალისწინეთ კოდის დაცვის ფუნქციის შემდეგი დეტალები მიკროჩიპის პროდუქტებზე:

მიკროჩიპის პროდუქტები აკმაყოფილებს სპეციფიკაციებს, რომლებიც მოცემულია მიკროჩიპის მონაცემთა ფურცელში.
Microchip თვლის, რომ მისი ოჯახის პროდუქტები უსაფრთხოა, როდესაც გამოიყენება დანიშნულებისამებრ, ოპერაციული სპეციფიკაციების ფარგლებში და ნორმალურ პირობებში.
მიკროჩიპი აფასებს და აგრესიულად იცავს მის ინტელექტუალურ საკუთრების უფლებებს. მიკროჩიპის პროდუქტის კოდის დაცვის მახასიათებლების დარღვევის მცდელობა მკაცრად აკრძალულია და შესაძლოა არღვევდეს ციფრული ათასწლეულის საავტორო უფლებების აქტს.
არც მიკროჩიპი და არც ნახევარგამტარების სხვა მწარმოებელი არ იძლევა მისი კოდის უსაფრთხოების გარანტიას. კოდის დაცვა არ ნიშნავს იმას, რომ ჩვენ გარანტიას ვაძლევთ პროდუქტის „შეურღვევია“. კოდის დაცვა მუდმივად ვითარდება. მიკროჩიპი მოწოდებულია მუდმივად გააუმჯობესოს ჩვენი პროდუქციის კოდის დაცვის მახასიათებლები

ეს პუბლიკაცია და აქ არსებული ინფორმაცია შეიძლება გამოყენებულ იქნას მხოლოდ Microchip-ის პროდუქტებთან, მათ შორის მიკროჩიპის პროდუქტების დიზაინის, ტესტირებისა და ინტეგრაციისთვის თქვენს აპლიკაციაში. ამ ინფორმაციის ნებისმიერი სხვა გზით გამოყენება არღვევს წინამდებარე პირობებს. ინფორმაცია მოწყობილობის აპლიკაციებთან დაკავშირებით მოწოდებულია მხოლოდ თქვენი მოხერხებულობისთვის და შეიძლება შეიცვალოს განახლებებით. თქვენი პასუხისმგებლობაა უზრუნველყოთ, რომ თქვენი აპლიკაცია აკმაყოფილებს თქვენს სპეციფიკაციებს. დაუკავშირდით თქვენს ადგილობრივ მიკროჩიპის გაყიდვების ოფისს დამატებითი მხარდაჭერისთვის ან მიიღეთ დამატებითი მხარდაჭერა აქ https://www.microchip.com/en-us/support/design-help/client-supportservices.

ეს ინფორმაცია მოწოდებულია მიკროჩიპის მიერ "როგორც არის". მიკროჩიპი არ იძლევა რაიმე სახის წარმომადგენლობას ან გარანტიას, იქნება ეს გამოხატული თუ ნაგულისხმევი, წერილობითი თუ ზეპირი, კანონმდებლობით თუ სხვაგვარად, დაკავშირებულ ინფორმაციასთან, მათ შორის, ცალსახად, მაგრამ არ არის შეზღუდული ზედმეტად შეზღუდული , ან დაკავშირებული გარანტიები მისი მდგომარეობა, ხარისხი ან შესრულება. არავითარ შემთხვევაში მიკროჩიპი პასუხისმგებელი არ იქნება რაიმე სახის ირიბი, სპეციალური, სადამსჯელო, შემთხვევითი ან თანმიმდევრული დანაკარგისთვის, ზიანისთვის, ღირებულებისთვის ან ხარჯისთვის, რაც არ უნდა იყოს დაკავშირებული აშშ-სთან შესაძლებლობა ან ზარალი განჭვრეტადია. კანონით ნებადართული სრულყოფილად, მიკროჩიპის სრული პასუხისმგებლობა ყველა პრეტენზიაზე, რომელიც დაკავშირებულია ინფორმაციასთან ან მის გამოყენებასთან, არ აღემატება საკომისიოების ოდენობას, ასეთის არსებობის შემთხვევაში.

მიკროჩიპის მოწყობილობების გამოყენება სიცოცხლის მხარდაჭერისა და/ან უსაფრთხოების აპლიკაციებში მთლიანად მყიდველის რისკის ქვეშაა და მყიდველი თანახმაა დაიცვას, აანაზღაუროს და შეინახოს უვნებელი მიკროჩიპი ნებისმიერი და ყველა ზიანისგან, პრეტენზიისგან, სარჩელისგან ან ხარჯისგან. არანაირი ლიცენზია არ არის გადაცემული, ირიბად ან სხვაგვარად, ნებისმიერი მიკროჩიპის ინტელექტუალური საკუთრების უფლებით, თუ სხვა რამ არ არის მითითებული.

Microchip-ის ხარისხის მართვის სისტემების შესახებ ინფორმაციისთვის ეწვიეთ www.microchip.com/quality.

სავაჭრო ნიშნები

მიკროჩიპის სახელი და ლოგო, მიკროჩიპის ლოგო, Adaptec, AnyRate, AVR, AVR ლოგო, AVR Freaks, BesTime, BitCloud, CryptoMemory, CryptoRF, dsPIC, flexPWR, HELDO, IGLOO, JukeBlox, KeeLoq,LinkMDChe, KL maXTouch, MediaLB, megaAVR, Microsemi, Microsemi ლოგო, MOST, MOST ლოგო, MPLAB, OptoLyzer, PIC, picoPower, PICSTART, PIC32 ლოგო, PolarFire, Prochip Designer, QTouch, SAM-BA, SenGenuity, SpyNIC, SST, SuperFST, Logo , Symmetricom, SyncServer, Tachyon, TimeSource, tinyAVR, UNI/O, Vectron და XMEGA არის მიკროჩიპის ტექნოლოგიის რეგისტრირებული სავაჭრო ნიშნები, რომლებიც ინკორპორირებულია აშშ-ში და სხვა ქვეყნებში. AgileSwitch, APT, ClockWorks, The Embedded Control Solutions Company, EtherSynch, Flashtec, Hyper Speed Control, HyperLight Load, IntelliMOS, Libero, motorBench, mTouch, Powermite 3, Precision Edge, ProASIC, ProASIC Plus, ProASIC- Plus Wire logo, Quiet SmartFusion, SyncWorld, Temux, TimeCesium, TimeHub, TimePictra, TimeProvider, TrueTime, WinPath და ZL არის აშშ-ში ჩართული მიკროჩიპის ტექნოლოგიის რეგისტრირებული სავაჭრო ნიშნები.

მიმდებარე კლავიშის ჩახშობა, AKS, ანალოგური ციფრული ხანისთვის, ნებისმიერი კონდენსატორი, AnyIn, AnyOut, გაძლიერებული გადართვა, BlueSky, BodyCom, CodeGuard, CryptoAuthentication, CryptoAutomotive, CryptoCompanion, CryptoPDEMICController, CryptoPDEMICController. , ECAN, ესპრესო T1S, EtherGREEN, GridTime, IdealBridge, სერიული პროგრამირება, ICSP, INICnet, ინტელექტუალური პარალელურობა, ჩიპებს შორის დაკავშირება, JitterBlocker, Knob-on-Display, maxCrypto, maxView, memBrain, Mindi, MiWi, MPASM, MPF, MPLAB სერტიფიცირებული ლოგო, MPLIB, MPLINK, MultiTRAK, NetDetach, NVM Express, NVMe, ყოვლისმომცველი კოდის გენერაცია, PICDEM, PICDEM.net, PICkit, PICtail, PowerSmart, PureSilicon, REALMatri , Ripple ბლოკერი, RTAX, RTG4, SAM-ICE, Serial Quad I/O, simpleMAP, SimpliPHY, SmartBuffer, SmartHLS, SMART-IS, storClad, SQI, SuperSwitcher, SuperSwitcher II, Switchtec, SynchroPHY, Total Endurance, USBCheck VariSense, VectorBlox, VeriPHY, ViewSpan, WiperLock, XpressConnect და ZENA არის Microchip Technology-ის სავაჭრო ნიშნები, რომლებიც ინკორპორირებულია აშშ-სა და სხვა ქვეყნებში.

SQTP არის Microchip Technology-ის მომსახურების ნიშანი, რომელიც დაფუძნებულია აშშ-ში
Adaptec ლოგო, Frequency on Demand, Silicon Storage Technology, Symmcom და Trusted Time არის Microchip Technology Inc.-ის რეგისტრირებული სავაჭრო ნიშნები სხვა ქვეყნებში.
GestIC არის Microchip Technology Germany II GmbH & Co. KG-ის რეგისტრირებული სავაჭრო ნიშანი, Microchip Technology Inc.-ის შვილობილი კომპანია, სხვა ქვეყნებში.
აქ ნახსენები ყველა სხვა სავაჭრო ნიშანი მათი შესაბამისი კომპანიების საკუთრებაა.
© 2009-2021, Microchip Technology Incorporated და მისი შვილობილი კომპანიები.
ყველა უფლება დაცულია.
ISBN: 978-1-5224-9314-3

გაყიდვები და მომსახურება მსოფლიოში

ამერიკა

კორპორატიული ოფისი
2355 West Chandler Blvd.
ჩენდლერი, AZ 85224-6199
ტელ: 480-792-7200
ფაქსი: 480-792-7277
ტექნიკური მხარდაჭერა: http://www.microchip.com/
მხარდაჭერა Web მისამართი: www.microchip.com
ატლანტა
დულუთი, GA
ტელ: 678-957-9614
ფაქსი: 678-957-1455
ოსტინი, ტეხასი
ტელ: 512-257-3370
ბოსტონი
Westborough, MA
ტელ: 774-760-0087
ფაქსი: 774-760-0088
ჩიკაგო
იტასკა, IL
ტელ: 630-285-0071
ფაქსი: 630-285-0075
დალასი
ადისონი, TX
ტელ: 972-818-7423
ფაქსი: 972-818-2924
დეტროიტი
ნოვი, MI
ტელ: 248-848-4000
ჰიუსტონი, ტეხასი
ტელ: 281-894-5983
ინდიანაპოლისი
ნობლსვილი, ინ
ტელ: 317-773-8323
ფაქსი: 317-773-5453
ტელ: 317-536-2380
ლოს ანჯელესი
მისია ვიეჯო, კალიფორნია
ტელ: 949-462-9523
ფაქსი: 949-462-9608
ტელ: 951-273-7800
რალი, NC
ტელ: 919-844-7510
ნიუ-იორკი, ნიუ-იორკი
ტელ: 631-435-6000
სან ხოსე, კალიფორნია
ტელ: 408-735-9110
ტელ: 408-436-4270
კანადა - ტორონტო
ტელ: 905-695-1980
ფაქსი: 905-695-2078

აზია/წყნარი ოკეანე

ავსტრალია - სიდნეი
ტელ: 61-2-9868-6733
ჩინეთი - პეკინი
ტელ: 86-10-8569-7000
ჩინეთი - ჩენგდუ
ტელ: 86-28-8665-5511
ჩინეთი - ჩონკინგი
ტელ: 86-23-8980-9588
ჩინეთი - დონგუანი
ტელ: 86-769-8702-9880
ჩინეთი - გუანჯოუ
ტელ: 86-20-8755-8029
ჩინეთი - ჰანჯოუ
ტელ: 86-571-8792-8115
ჩინეთი - ჰონგ კონგის SAR
ტელ: 852-2943-5100
ჩინეთი - ნანჯინგი
ტელ: 86-25-8473-2460
ჩინეთი - ცინგდაო
ტელ: 86-532-8502-7355
ჩინეთი - შანხაი
ტელ: 86-21-3326-8000
ჩინეთი - შენიანგი
ტელ: 86-24-2334-2829
ჩინეთი - შენჟენი
ტელ: 86-755-8864-2200
ჩინეთი - სუჯოუ
ტელ: 86-186-6233-1526
ჩინეთი - ვუჰანი
ტელ: 86-27-5980-5300
ჩინეთი - Xian
ტელ: 86-29-8833-7252
ჩინეთი - Xiamen
ტელ: 86-592-2388138
ჩინეთი - ჟუჰაი
ტელ: 86-756-3210040
ინდოეთი - ბანგალორი
ტელ: 91-80-3090-4444
ინდოეთი - ნიუ დელი
ტელ: 91-11-4160-8631
ინდოეთი - პუნი
ტელ: 91-20-4121-0141
იაპონია - ოსაკა
ტელ: 81-6-6152-7160
იაპონია - ტოკიო
ტელ: 81-3-6880- 3770 წ
კორეა - დეგუ
ტელ: 82-53-744-4301
კორეა - სეული
ტელ: 82-2-554-7200
მალაიზია - კუალა ლუმპური
ტელ: 60-3-7651-7906
მალაიზია - პენანგი
ტელ: 60-4-227-8870
ფილიპინები - მანილა
ტელ: 63-2-634-9065
სინგაპური
ტელ: 65-6334-8870
ტაივანი – ჰსინ ჩუ
ტელ: 886-3-577-8366
ტაივანი - კაოსიუნგი
ტელ: 886-7-213-7830
ტაივანი - ტაიპეი
ტელ: 886-2-2508-8600
ტაილანდი - ბანგკოკი
ტელ: 66-2-694-1351
ვიეტნამი - ჰო ჩიმინი
ტელ: 84-28-5448-2100

ევროპა

ავსტრია – უელსი
ტელ: 43-7242-2244-39
ფაქსი: 43-7242-2244-393
დანია - კოპენჰაგენი
ტელ: 45-4485-5910
ფაქსი: 45-4485-2829
ფინეთი – ესპო
ტელ: 358-9-4520-820
საფრანგეთი - პარიზი
ტელ: 33-1-69-53-63-20
ფაქსი: 33-1-69-30-90-79
გერმანია – გარქინგი
ტელ: 49-8931-9700
გერმანია – ჰაანი
ტელ: 49-2129-3766400
გერმანია – ჰაილბრონი
ტელ: 49-7131-72400
გერმანია - კარლსრუე
ტელ: 49-721-625370
გერმანია - მიუნხენი
ტელ: 49-89-627-144-0
ფაქსი: 49-89-627-144-44
გერმანია – როზენჰაიმი
ტელ: 49-8031-354-560
იტალია - მილანი
ტელ: 39-0331-742611
ფაქსი: 39-0331-466781
იტალია - პადოვა
ტელ: 39-049-7625286
ნიდერლანდები – დრუნენი
ტელ: 31-416-690399
ფაქსი: 31-416-690340
ნორვეგია - ტრონდჰეიმი
ტელ: 47-7288-4388
პოლონეთი - ვარშავა
ტელ: 48-22-3325737
რუმინეთი - ბუქარესტი
ტელ: 40-21-407-87-50
ესპანეთი - მადრიდი
ტელ: 34-91-708-08-90
ფაქსი: 34-91-708-08-91
შვედეთი - გოტენბერგი
ტელ: 46-31-704-60-40
შვედეთი - სტოკჰოლმი
ტელ: 46-8-5090-4654
დიდი ბრიტანეთი - ვოკინგემი
ტელ: 44-118-921-5800
ფაქსი: 44-118-921-5820

შენიშვნა:

ოჯახის მითითების სახელმძღვანელოს ეს განყოფილება განკუთვნილია მოწყობილობის მონაცემთა ფურცლების დამატებად. მოწყობილობის ვარიანტიდან გამომდინარე, სახელმძღვანელოს ეს განყოფილება შეიძლება არ გავრცელდეს ყველა dsPIC33/PIC24 მოწყობილობაზე. გთხოვთ, გაეცნოთ შენიშვნას „Flash Program Memory“ თავის დასაწყისში არსებული მოწყობილობის მონაცემთა ფურცელში, რათა შეამოწმოთ არის თუ არა ეს დოკუმენტი მხარს უჭერს მოწყობილობას, რომელსაც იყენებთ.
მოწყობილობის მონაცემთა ფურცლები და ოჯახის საცნობარო სახელმძღვანელოს სექციები ხელმისაწვდომია ჩამოსატვირთად Microchip Worldwide-დან Webსაიტი: http://www.microchip.com.

დოკუმენტები / რესურსები

	MICROCHIP PIC24 Flash პროგრამირება [pdf] მომხმარებლის სახელმძღვანელო PIC24 Flash პროგრამირება, PIC24, Flash პროგრამირება, პროგრამირება
	MICROCHIP PIC24 Flash პროგრამირება [pdf] მომხმარებლის სახელმძღვანელო PIC24 Flash პროგრამირება, PIC24, Flash პროგრამირება